采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
栅极电荷：106nC@20V
输入电容：1762pF@800V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：58A
包装方式：管件
功率：319W
导通电阻：56mΩ@35A，20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：224mΩ@12A，20V
栅极电荷：33.8nC@20V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
连续漏极电流：19.5A
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
输入电容：678pF@800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NTBG020N120SC1
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4.3V@20mA
导通电阻：28mΩ@60A，20V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
功率：3.7W€468W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：8.6A€98A
栅极电荷：220nC@20V
输入电容：2943pF@800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：110mΩ@20A，20V
类型：N沟道
功率：179W
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4.3V@5mA
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NTBG020N120SC1
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4.3V@20mA
导通电阻：28mΩ@60A，20V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
功率：3.7W€468W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：8.6A€98A
栅极电荷：220nC@20V
输入电容：2943pF@800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
连续漏极电流：54A
输入电容：1700pF@800V
栅极电荷：75nC@18V
功率：231W
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：54mΩ@20A，18V
包装方式：管件
阈值电压：4.4V@10mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1A
导通电阻：110mΩ@20A，20V
功率：178W
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
栅极电荷：106nC@20V
输入电容：1762pF@800V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：58A
包装方式：管件
功率：319W
ECCN：EAR99
导通电阻：56mΩ@35A，20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：110mΩ@20A，20V
类型：N沟道
功率：179W
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4.3V@5mA
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4.63V@37mA
连续漏极电流：104A
栅极电荷：337nC@18V
导通电阻：20mΩ@74A，18V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
输入电容：6313pF@800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL160N120SC1
连续漏极电流：17A
栅极电荷：34nC@20V
输入电容：665pF@800V
导通电阻：224mΩ@12A，20V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
功率：119W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NVBG020N120SC1
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4.3V@20mA
导通电阻：28mΩ@60A，20V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
功率：3.7W€468W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：8.6A€98A
栅极电荷：220nC@20V
输入电容：2943pF@800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1A
导通电阻：110mΩ@20A，20V
功率：178W
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
连续漏极电流：54A
输入电容：1700pF@800V
栅极电荷：75nC@18V
功率：231W
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：54mΩ@20A，18V
包装方式：管件
阈值电压：4.4V@10mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L160N120SC1
栅极电荷：34nC@20V
连续漏极电流：17.3A
输入电容：665pF@800V
导通电阻：224mΩ@12A，20V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
ECCN：EAR99
功率：111W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
生产批次：{"20+"：800，"23+"：3800}
规格型号(MPN)：NVBG020N120SC1
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4.3V@20mA
导通电阻：28mΩ@60A，20V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
功率：3.7W€468W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：8.6A€98A
栅极电荷：220nC@20V
输入电容：2943pF@800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
包装规格(MPQ)：30psc
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
输入电容：3175pF@800V
阈值电压：4.4V@20mA
功率：352W
类型：N沟道
漏源电压：1200V
栅极电荷：151nC@18V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：30mΩ@40A，18V
包装方式：管件
连续漏极电流：68A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
生产批次：{"20+"：800，"23+"：3800}
规格型号(MPN)：NVBG020N120SC1
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4.3V@20mA
导通电阻：28mΩ@60A，20V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
功率：3.7W€468W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：8.6A€98A
栅极电荷：220nC@20V
输入电容：2943pF@800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：200}
包装规格(MPQ)：450psc
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1
导通电阻：110mΩ@20A，20V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：1200V
连续漏极电流：44A
功率：348W
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NTBG040N120SC1
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：卷带（TR）
功率：357W
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：60A
输入电容：1789pF@800V
导通电阻：56mΩ@35A，20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
生产批次：{"20+"：8407，"MI+"：450}
规格型号(MPN)：NTHL020N120SC1
栅极电荷：203nC@20V
连续漏极电流：103A
阈值电压：4.3V@20mA
导通电阻：28mΩ@60A，20V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
功率：535W
包装方式：管件
ECCN：EAR99
输入电容：2890pF@800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：200}
包装规格(MPQ)：450psc
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1
导通电阻：110mΩ@20A，20V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：1200V
连续漏极电流：44A
功率：348W
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL040N120SC1
栅极电荷：106nC@20V
输入电容：1781pF@800V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
功率：348W
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
连续漏极电流：60A
导通电阻：56mΩ@35A，20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120SC1
栅极电荷：106nC@20V
输入电容：1762pF@800V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：58A
包装方式：管件
功率：319W
导通电阻：56mΩ@35A，20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：450psc
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1
导通电阻：110mΩ@20A，20V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
连续漏极电流：44A
功率：348W
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120SC1
栅极电荷：106nC@20V
输入电容：1762pF@800V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：58A
包装方式：管件
功率：319W
导通电阻：56mΩ@35A，20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
生产批次：{"22+"：3600}
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：224mΩ@12A，20V
栅极电荷：33.8nC@20V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
连续漏极电流：19.5A
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
输入电容：678pF@800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：224mΩ@12A，20V
栅极电荷：33.8nC@20V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
连续漏极电流：19.5A
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
输入电容：678pF@800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
生产批次：{"20+"：800，"23+"：3800}
规格型号(MPN)：NVBG020N120SC1
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4.3V@20mA
导通电阻：28mΩ@60A，20V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
功率：3.7W€468W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：8.6A€98A
栅极电荷：220nC@20V
输入电容：2943pF@800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL040N120SC1
栅极电荷：106nC@20V
输入电容：1781pF@800V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
功率：348W
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
连续漏极电流：60A
导通电阻：56mΩ@35A，20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
