品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB290N80
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@1.7mA
输入电容:3205pF@100V
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:212W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":11880,"23+":10500}
规格型号(MPN):FDMS10C4D2N
栅极电荷:65nC@10V
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
类型:N沟道
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:4500pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4125
连续漏极电流:17A
输入电容:1200pF@30V
导通电阻:610mΩ@7A,10V
工作温度:150℃
栅极电荷:46nC@10V
功率:2.5W€170W
漏源电压:600V
类型:N沟道
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":5760,"19+":12529}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCPF190N65S3R0L
连续漏极电流:17A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@1.7mA
输入电容:1350pF@400V
漏源电压:650V
包装方式:管件
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
ECCN:EAR99
功率:144W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:18.2nC@10V
输入电容:1113pF@15V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.1W€31W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCP190N65S3
连续漏极电流:17A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@1.7mA
输入电容:1350pF@400V
漏源电压:650V
包装方式:管件
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
ECCN:EAR99
功率:144W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@4.5V
输入电容:400pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
功率:18W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL160N120SC1
连续漏极电流:17A
栅极电荷:34nC@20V
输入电容:665pF@800V
导通电阻:224mΩ@12A,20V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
功率:119W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB290N80
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@1.7mA
输入电容:3205pF@100V
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:212W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCP190N65S3
连续漏极电流:17A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@1.7mA
输入电容:1350pF@400V
漏源电压:650V
包装方式:管件
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
功率:144W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:18.2nC@10V
输入电容:1113pF@15V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.1W€31W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT180N65S3
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
功率:139W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
导通电阻:180mΩ@8.5A,10V
类型:N沟道
输入电容:1350pF@400V
阈值电压:4.5V@1.8mA
漏源电压:650V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS10C4D2N
栅极电荷:65nC@10V
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
类型:N沟道
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:4500pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
连续漏极电流:17A
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@1.7mA
输入电容:3205pF@100V
包装方式:管件
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@4.5V
输入电容:400pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
功率:18W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@4.5V
输入电容:400pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
功率:18W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6416ANT4G
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:81mΩ@17A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":6900,"MI+":730}
规格型号(MPN):FCPF290N80
连续漏极电流:17A
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@1.7mA
输入电容:3205pF@100V
包装方式:管件
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL160N120SC1
连续漏极电流:17A
栅极电荷:34nC@20V
输入电容:665pF@800V
导通电阻:224mΩ@12A,20V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
功率:119W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
连续漏极电流:17A
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@1.7mA
输入电容:3205pF@100V
包装方式:管件
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G
连续漏极电流:17A
功率:61W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
阈值电压:2V@53µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL160N120SC1
连续漏极电流:17A
栅极电荷:34nC@20V
输入电容:665pF@800V
导通电阻:224mΩ@12A,20V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
功率:119W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:212W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":446}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4125
工作温度:150℃
功率:2.5W€170W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT180N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4.5V@1.8mA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS10C4D2N
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":70,"19+":30180,"MI+":700}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP190N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:144W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: