采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：65450}
规格型号(MPN)：BSS123
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：14pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
连续漏极电流：200mA
栅极电荷：1.8nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：14pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
连续漏极电流：200mA
栅极电荷：1.8nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：220mA
导通电阻：3Ω@500mA，10V
工作温度：150℃
输入电容：27pF@25V
漏源电压：50V
类型：N沟道
栅极电荷：2.4nC@10V
阈值电压：1.6V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：220mA
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.06V@250µA
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：0.7nC@4.5V
输入电容：9.5pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：25V
连续漏极电流：680mA
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：220mA
导通电阻：3Ω@500mA，10V
工作温度：150℃
输入电容：27pF@25V
漏源电压：50V
类型：N沟道
栅极电荷：2.4nC@10V
阈值电压：1.6V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：21+
规格型号(MPN)：FDV301N
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：220mA
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.06V@250µA
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：0.7nC@4.5V
输入电容：9.5pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW
阈值电压：2.1V@250µA
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：25V
连续漏极电流：680mA
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：25V
连续漏极电流：680mA
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：220mA
导通电阻：3Ω@500mA，10V
工作温度：150℃
输入电容：27pF@25V
漏源电压：50V
类型：N沟道
栅极电荷：2.4nC@10V
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138K
阈值电压：1.2V@250µA
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.6Ω@50mA，5V
连续漏极电流：220mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
栅极电荷：2.4nC@10V
输入电容：58pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：19+
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：14pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
连续漏极电流：200mA
栅极电荷：1.8nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：109pF@10V
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
连续漏极电流：900mA
漏源电压：20V
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：25V
连续漏极电流：680mA
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：220mA
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.06V@250µA
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：0.7nC@4.5V
输入电容：9.5pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：25V
连续漏极电流：680mA
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：220mA
导通电阻：3Ω@500mA，10V
工作温度：150℃
输入电容：27pF@25V
漏源电压：50V
类型：N沟道
栅极电荷：2.4nC@10V
阈值电压：1.6V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：220mA
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.06V@250µA
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：0.7nC@4.5V
输入电容：9.5pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：2.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：2.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：21+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：2.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：2.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
