采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6298
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1108 pF @ 15 V
连续漏极电流：13A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：9 毫欧 @ 13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB8447L
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：52 nC @ 10 V
漏源电压：40V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
输入电容：2620 pF @ 20 V
阈值电压：3V @ 250µA
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6298
连续漏极电流：13A（Ta）
导通电阻：9 毫欧 @ 13A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：3W（Ta）
栅极电荷：14 nC @ 5 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
输入电容：1108 pF @ 15 V
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：HUF76423P3
功率：85W（Tc）
栅极电荷：34 nC @ 10 V
导通电阻：30 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：60V
类型：N 通道
包装方式：管件
ECCN：EAR99
输入电容：1060 pF @ 25 V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
阈值电压：3V @ 250µA
连续漏极电流：35A（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
功率：1.6W（Ta）
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：1040 pF @ 15 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
栅极电荷：18 nC @ 10 V
类型：N 通道
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320L
栅极电荷：170 nC @ 10 V
输入电容：11110 pF @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
连续漏极电流：36A（Ta），100A（Tc）
导通电阻：1.1 毫欧 @ 32A，10V
功率：2.5W（Ta），104W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB8447L
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：52 nC @ 10 V
漏源电压：40V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
输入电容：2620 pF @ 20 V
阈值电压：3V @ 250µA
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7580
功率：2.5W（Ta），27W（Tc）
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：7.5 毫欧 @ 15A，10V
栅极电荷：20 nC @ 10 V
漏源电压：25V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
连续漏极电流：15A（Ta），29A（Tc）
输入电容：1190 pF @ 13 V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6298
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1108 pF @ 15 V
连续漏极电流：13A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：9 毫欧 @ 13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6298
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1108 pF @ 15 V
连续漏极电流：13A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：9 毫欧 @ 13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6298
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1108 pF @ 15 V
连续漏极电流：13A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：9 毫欧 @ 13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5353
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：65 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
功率：3.1W（Ta），69W（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V
连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）
输入电容：3215 pF @ 30 V
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8842NZ
导通电阻：7 毫欧 @ 14.9A，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：2.5W（Ta）
漏源电压：40V
输入电容：3845 pF @ 15 V
栅极电荷：73 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
ECCN：EAR99
连续漏极电流：14.9A（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8884
功率：1.6W（Ta）
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：7.4 nC @ 10 V
连续漏极电流：6.5A（Ta），8A（Tc）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 6.5A，10V
输入电容：465 pF @ 15 V
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5353
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：65 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
功率：3.1W（Ta），69W（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V
连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）
输入电容：3215 pF @ 30 V
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7692
功率：2.5W（Ta），27W（Tc）
栅极电荷：22 nC @ 10 V
导通电阻：7.5 毫欧 @ 13A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
输入电容：1350 pF @ 15 V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V @ 250µA
连续漏极电流：14A（Ta），28A（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5353
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：65 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
功率：3.1W（Ta），69W（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V
连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）
输入电容：3215 pF @ 30 V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB8447L
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：52 nC @ 10 V
漏源电压：40V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
输入电容：2620 pF @ 20 V
阈值电压：3V @ 250µA
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7580
功率：2.5W（Ta），27W（Tc）
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：7.5 毫欧 @ 15A，10V
栅极电荷：20 nC @ 10 V
漏源电压：25V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
连续漏极电流：15A（Ta），29A（Tc）
输入电容：1190 pF @ 13 V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5353
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3215 pF @ 30 V
连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），27W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190 pF @ 13 V
连续漏极电流：15A（Ta），29A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.5 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），104W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11110 pF @ 20 V
连续漏极电流：36A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.1 毫欧 @ 32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5353
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3215 pF @ 30 V
连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7580
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），27W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190 pF @ 13 V
连续漏极电流：15A（Ta），29A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.5 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），104W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：170 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11110 pF @ 20 V
连续漏极电流：36A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.1 毫欧 @ 32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：506，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6630A
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460 pF @ 15 V
连续漏极电流：6.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：38 毫欧 @ 6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8447L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8447L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），60W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：52 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620 pF @ 20 V
连续漏极电流：15A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5353
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：65 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3215 pF @ 30 V
连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8320L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），104W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11110 pF @ 20 V
连续漏极电流：36A（Ta），100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.1 毫欧 @ 32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
