品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),37W(Tc)
阈值电压:2V @ 25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Ta),36A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT014
包装方式:卷带(TR)
功率:3W(Ta)
栅极电荷:11 nC @ 10 V
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
类型:N 通道
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
连续漏极电流:2.7A(Ta)
输入电容:155 pF @ 25 V
阈值电压:4V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":1596,"22+":16939,"MI+":3727}
规格型号(MPN):NDT014
包装方式:卷带(TR)
功率:3W(Ta)
栅极电荷:11 nC @ 10 V
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
类型:N 通道
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
连续漏极电流:2.7A(Ta)
输入电容:155 pF @ 25 V
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):HUF76423P3
功率:85W(Tc)
栅极电荷:34 nC @ 10 V
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
类型:N 通道
包装方式:管件
ECCN:EAR99
输入电容:1060 pF @ 25 V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
阈值电压:3V @ 250µA
连续漏极电流:35A(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
漏源电压:60V
栅极电荷:29 nC @ 10 V
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS014N06CLTWG
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),37W(Tc)
阈值电压:2V @ 25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Ta),36A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:15 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT014
包装方式:卷带(TR)
功率:3W(Ta)
栅极电荷:11 nC @ 10 V
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
类型:N 通道
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
连续漏极电流:2.7A(Ta)
输入电容:155 pF @ 25 V
阈值电压:4V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT014
包装方式:卷带(TR)
功率:3W(Ta)
栅极电荷:11 nC @ 10 V
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
类型:N 通道
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
连续漏极电流:2.7A(Ta)
输入电容:155 pF @ 25 V
阈值电压:4V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
漏源电压:60V
栅极电荷:29 nC @ 10 V
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
漏源电压:60V
栅极电荷:29 nC @ 10 V
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:65 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
输入电容:3215 pF @ 30 V
阈值电压:3V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520
输入电容:2850 pF @ 30 V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:40 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
类型:N 通道
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
导通电阻:7.4 毫欧 @ 14A,10V
连续漏极电流:14A(Ta),42A(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT014
包装方式:卷带(TR)
功率:3W(Ta)
栅极电荷:11 nC @ 10 V
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
类型:N 通道
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
连续漏极电流:2.7A(Ta)
输入电容:155 pF @ 25 V
阈值电压:4V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
漏源电压:60V
栅极电荷:29 nC @ 10 V
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:65 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
输入电容:3215 pF @ 30 V
阈值电压:3V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520
输入电容:2850 pF @ 30 V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:40 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
类型:N 通道
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
导通电阻:7.4 毫欧 @ 14A,10V
连续漏极电流:14A(Ta),42A(Tc)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT014
包装方式:卷带(TR)
功率:3W(Ta)
栅极电荷:11 nC @ 10 V
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
类型:N 通道
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
连续漏极电流:2.7A(Ta)
输入电容:155 pF @ 25 V
阈值电压:4V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:65 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
输入电容:3215 pF @ 30 V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170-D75Z
连续漏极电流:500mA(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
类型:N 通道
包装方式:剪切带(CT)
功率:830mW(Ta)
ECCN:EAR99
导通电阻:5 欧姆 @ 200mA,10V
输入电容:40 pF @ 10 V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850 pF @ 30 V
连续漏极电流:14A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.4 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT014
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.7A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT014
工作温度:-65°C~150°C(TJ)
功率:3W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.7A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850 pF @ 30 V
连续漏极电流:14A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.4 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: