品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8013S
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:6.4mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
连续漏极电流:13A€26A
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:800mW€900mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:827pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7200S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:700mW€1W
ECCN:EAR99
输入电容:660pF@15V
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:22mΩ@6A,10V
连续漏极电流:7A€13A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7602S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:12A€17A
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1750pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8949
输入电容:955pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
导通电阻:29mΩ@6A,10V
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":23252}
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:520pF@15V
功率:680mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":25350,"10+":7987,"11+":1197,"12+":20881,"15+":1319,"16+":489,"MI+":2500}
规格型号(MPN):NTMD4820NR2G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:4.9A
导通电阻:20mΩ@7.5A,10V
功率:750mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:940pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7602S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
输入电容:1750pF@15V
功率:1W
连续漏极电流:12A€17A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1329}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240LET40
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:4230pF@20V
类型:2N沟道(双)
功率:50W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:24A
ECCN:EAR99
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7620S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:608pF@15V
连续漏极电流:10.1A€12.4A
功率:1W
导通电阻:20mΩ@10.1A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8949
输入电容:955pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
导通电阻:29mΩ@6A,10V
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC89521L
输入电容:1635pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:8.2A
漏源电压:60V
导通电阻:17mΩ@8.2A,10V
功率:1.9W€16W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:720pF@20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
功率:1.9W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4N03R2G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@4A,10V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
输入电容:400pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8200S
导通电阻:20mΩ@6A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:700mW€1W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6A€8.5A
类型:2N沟道(双)
输入电容:660pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":190,"23+":18297,"MI+":1797}
规格型号(MPN):NTMD4N03R2G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@4A,10V
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
输入电容:400pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4502NT1G
功率:640mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:85mΩ@2.9A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.2A
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3V@250µA
输入电容:140pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8260L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:15A
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
功率:1W
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:5245pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9945
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:1W
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3.5A
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:420pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6561AN
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@2.5A,10V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:700mW
输入电容:220pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6912A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
输入电容:575pF@15V
导通电阻:28mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4N03R2G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@4A,10V
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
输入电容:400pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N30D
输入电容:1110pF@15V€2360pF@15V
导通电阻:11.6mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:46A
功率:1.9W€2.5W
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7602S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
输入电容:1750pF@15V
功率:1W
连续漏极电流:12A€17A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7200
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23.5mΩ@6A,10V
功率:700mW€900mW
连续漏极电流:6A€8A
ECCN:EAR99
输入电容:660pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8949
输入电容:955pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
导通电阻:29mΩ@6A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":750}
规格型号(MPN):FDMD8260L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:5245pF@30V
连续漏极电流:15A
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDML7610S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
输入电容:1750pF@15V
功率:800mW€900mW
连续漏极电流:12A€17A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7200
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23.5mΩ@6A,10V
功率:700mW€900mW
连续漏极电流:6A€8A
ECCN:EAR99
输入电容:660pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":23252}
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:520pF@15V
功率:680mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7602S
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
输入电容:1750pF@15V
功率:1W
连续漏极电流:12A€17A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: