品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:14A€52A
功率:3W€40W
输入电容:997pF@25V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.2V@30µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:14A€52A
功率:3W€40W
输入电容:997pF@25V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.2V@30µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C478NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.5V@20µA
输入电容:325pF@25V
功率:3.1W€23W
导通电阻:17mΩ@7.5A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:9.8A€27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:25A€145A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
功率:3.5W
阈值电压:2.2V@90µA
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G
连续漏极电流:25A€145A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
功率:3.5W€125W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:3170pF@25V
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€24W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A€36A
输入电容:590pF@25V
导通电阻:11.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.2V@20µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8949
输入电容:955pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
导通电阻:29mΩ@6A,10V
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFD4D0N04HLTWG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
功率:1.7W€26W
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
阈值电压:2V@50µA
连续漏极电流:15A€60A
ECCN:EAR99
输入电容:1100pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1329}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240LET40
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:4230pF@20V
类型:2N沟道(双)
功率:50W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:24A
ECCN:EAR99
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
功率:3W€24W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A€36A
输入电容:590pF@25V
导通电阻:11.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.2V@20µA
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8949
输入电容:955pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
导通电阻:29mΩ@6A,10V
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFD4D0N04HLTWG
包装方式:卷带(TR)
功率:1.7W€26W
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2V@50µA
连续漏极电流:15A€60A
输入电容:1100pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:720pF@20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
功率:1.9W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFD4D0N04HLTWG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
功率:1.7W€26W
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
阈值电压:2V@50µA
连续漏极电流:15A€60A
ECCN:EAR99
输入电容:1100pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C470NLT1G
功率:3W€24W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A€36A
输入电容:590pF@25V
导通电阻:11.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.2V@20µA
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
类型:2N沟道(双)
功率:3W€50W
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:650pF@25V
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€38W
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:14A€49A
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
功率:3W€24W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A€36A
输入电容:590pF@25V
导通电阻:11.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.2V@20µA
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8949
输入电容:955pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
导通电阻:29mΩ@6A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:14A€52A
功率:3W€40W
输入电容:997pF@25V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.2V@30µA
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:650pF@25V
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€38W
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:14A€49A
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C478NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W€23W
输入电容:420pF@25V
漏源电压:40V
连续漏极电流:10.5A€29A
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.2V@20µA
导通电阻:14.5mΩ@7.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
类型:2N沟道(双)
功率:3W€50W
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NLT1G
连续漏极电流:25A€145A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:3170pF@25V
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
功率:3.5W
阈值电压:2.2V@90µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NWFT1G
输入电容:2450pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:24A€127A
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€89W
ECCN:EAR99
导通电阻:2.9mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC9430L-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:984pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:11.4W
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:12A
导通电阻:8mΩ@12A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€24W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A€36A
输入电容:590pF@25V
导通电阻:11.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.2V@20µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8030
导通电阻:10mΩ@12A,10V
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:12A
输入电容:1975pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFD4D0N04HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€26W
阈值电压:2V@50µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:15A€60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: