采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2285}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2285}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2285}
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规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
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漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：28psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH010P120MNF1PTG
工作温度：-40℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.3V@40mA
包装方式：托盘
输入电容：4707pF@800V
连续漏极电流：114A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：14mΩ@100A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2060pF@50V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：28psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH010P120MNF1PTG
工作温度：-40℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.3V@40mA
包装方式：托盘
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连续漏极电流：114A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：14mΩ@100A，20V
漏源电压：1200V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：28psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH010P120MNF1PTG
工作温度：-40℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.3V@40mA
包装方式：托盘
输入电容：4707pF@800V
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类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：14mΩ@100A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：28psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXH010P120MNF1PTG
工作温度：-40℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4.3V@40mA
包装方式：托盘
输入电容：4707pF@800V
连续漏极电流：114A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：14mΩ@100A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
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类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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