品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3664S
连续漏极电流:13A€25A
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1765pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
阈值电压:2.7V@250µA
连续漏极电流:30A€60A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1765pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC5018SG
功率:1W€1.1W
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17A€32A
导通电阻:5mΩ@17A,10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1715pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1086,"16+":3893,"18+":35100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11.3A€18.1A
类型:2N沟道(双)非对称型
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
ECCN:EAR99
输入电容:1153pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3606S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13A€27A
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C85NT1G
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
导通电阻:3mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1960pF@15V
连续漏极电流:15.4A€29.7A
功率:1.13W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":9000}
规格型号(MPN):FDMS3606S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13A€27A
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":789400}
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11.3A€18.1A
类型:2N沟道(双)非对称型
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
ECCN:EAR99
输入电容:1153pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3664S
连续漏极电流:13A€25A
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1765pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":1831,"24+":30000}
规格型号(MPN):FDMS3604S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:13A€23A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":7500}
规格型号(MPN):NTMFD4C88NT1G
输入电容:1252pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)非对称型
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
导通电阻:5.4mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:11.7A€14.2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3606S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13A€27A
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1086,"16+":3893,"18+":35100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11.3A€18.1A
类型:2N沟道(双)非对称型
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
ECCN:EAR99
输入电容:1153pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT1G
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
输入电容:1153pF@15V
连续漏极电流:11.3A€18.1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC5018SG
功率:1W€1.1W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5mΩ@17A,10V
类型:2N沟道(双)非对称型
ECCN:EAR99
连续漏极电流:17A€32A
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1715pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3664S
连续漏极电流:13A€25A
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1765pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3604S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:13A€23A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3669S
阈值电压:2.7V@250µA
导通电阻:10mΩ@13A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1605pF@15V
连续漏极电流:13A€18A
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC5018SG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:17A€32A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3604S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@15V
连续漏极电流:13A€23A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":181228,"18+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C85NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.13W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@15V
连续漏极电流:15.4A€29.7A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3669S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@15V
连续漏极电流:13A€18A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:10mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":25306,"21+":8741,"22+":544805,"MI+":50920}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC5030SG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:17A€25A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":16964,"22+":36000}
包装规格(MPQ):233psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS1D2N03DSD
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W€2.3W€42W
阈值电压:2.5V@320µA€3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:1410pF@15V€4860pF@15V
连续漏极电流:19A€70A€37A€164A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC5018SG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:17A€32A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3606S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@15V
连续漏极电流:13A€27A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: