采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@25V
连续漏极电流：398.2A
类型：N沟道
导通电阻：0.81mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D6N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：187nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11800pF@20V
连续漏极电流：533A
类型：N沟道
导通电阻：0.48mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D6N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：187nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11800pF@20V
连续漏极电流：533A
类型：N沟道
导通电阻：0.48mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D6N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：187nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11800pF@20V
连续漏极电流：533A
类型：N沟道
导通电阻：0.48mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@25V
连续漏极电流：398.2A
类型：N沟道
导通电阻：0.81mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@25V
连续漏极电流：398.2A
类型：N沟道
导通电阻：0.81mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMTS001N06CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@25V
连续漏极电流：398.2A
类型：N沟道
导通电阻：0.81mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@25V
连续漏极电流：398.2A
类型：N沟道
导通电阻：0.81mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@25V
连续漏极电流：398.2A
类型：N沟道
导通电阻：0.81mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D6N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：187nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11800pF@20V
连续漏极电流：533A
类型：N沟道
导通电阻：0.48mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@25V
连续漏极电流：398.2A
类型：N沟道
导通电阻：0.81mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@25V
连续漏极电流：398.2A
类型：N沟道
导通电阻：0.81mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D4N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：251nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16500pF@20V
连续漏极电流：79.8A€558A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D6N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：187nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11800pF@20V
连续漏极电流：533A
类型：N沟道
导通电阻：0.48mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CLTXG
输入电容：12300pF@25V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：398.2A
功率：5W
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：0.81mΩ@50A，10V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：165nC@10V
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D6N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：187nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11800pF@20V
连续漏极电流：533A
类型：N沟道
导通电阻：0.48mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D6N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：187nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11800pF@20V
连续漏极电流：533A
类型：N沟道
导通电阻：0.48mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D6N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：187nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11800pF@20V
连续漏极电流：533A
类型：N沟道
导通电阻：0.48mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D6N04CTXG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：0.48mΩ@50A，10V
功率：5W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：533A
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：187nC@10V
输入电容：11800pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
