采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8840NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7535pF@20V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8840NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7535pF@20V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1686pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8449
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.659nF@20V
连续漏极电流：12.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，12.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8840NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7535pF@20V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：78，"19+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8840NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7535pF@20V
连续漏极电流：18.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8449
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
