品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9431A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":235,"23+":1866}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":235,"23+":1866}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9431A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6576
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.044nF@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@4.5V,11A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6576
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.044nF@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@4.5V,11A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9431A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6576
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.044nF@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@4.5V,11A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6576
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.044nF@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@4.5V,11A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":62500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS8425
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1098pF@15V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":0,"MI+":1735}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS8434
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9431A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9431A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6576
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.044nF@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@4.5V,11A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS8425
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1098pF@15V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:36nC@4.5V
输入电容:2.694nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6375
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:36nC@4.5V
输入电容:2.694nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6576
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.044nF@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@4.5V,11A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: