采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FJB102TM
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FJB102TM
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FJB102TM
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FJB102TM
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1456，"22+"：2471，"MI+"：709}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1195}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：19A€93A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FJB102TM
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：19A€93A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2114}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2114}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-G
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB4302T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1456，"22+"：2471，"MI+"：709}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FJB102TM
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1456，"22+"：2471，"MI+"：709}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FJB102TM
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：570，"04+"：2900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB4302T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FJB102TM
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：8A
功率：80W
集电集截止电流(Icbo)：50µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
