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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：30000，"06+"：2633，"07+"：1939，"08+"：49666，"09+"：235413，"10+"：105000，"11+"：30000，"13+"：30000，"14+"：54000，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：606，"22+"：21000，"23+"：57000，"24+"：358}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：90000，"08+"：5300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4401PT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：30000，"06+"：2633，"07+"：1939，"08+"：49666，"09+"：235413，"10+"：105000，"11+"：30000，"13+"：30000，"14+"：54000，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3102CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@10V
连续漏极电流：4A€3.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：45mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3102CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@10V
连续漏极电流：4A€3.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：45mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2866，"24+"：2673}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHC5513T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2.9A€2.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3102CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@10V
连续漏极电流：4A€3.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：45mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：90000，"08+"：5300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4401PT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4401PT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：606，"22+"：21000，"23+"：57000，"24+"：358}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：606，"22+"：21000，"23+"：57000，"24+"：358}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD3100CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：2.9A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
