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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：100，"22+"：2084850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：224.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：100，"22+"：2084850}
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规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：100，"22+"：2084850}
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规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD4C88NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：11.7A€14.2A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：1086，"16+"：3893，"18+"：35100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD4C86NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1153pF@15V
连续漏极电流：11.3A€18.1A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：1086，"16+"：3893，"18+"：35100}
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规格型号(MPN)：NTMFD4C86NT1G
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类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5.4mΩ@30A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：789400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD4C86NT3G
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功率：1.1W
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连续漏极电流：11.7A€14.2A
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类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
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输入电容：18500pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
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ECCN：EAR99
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类型：2N沟道（双）非对称型
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行业应用：工业,汽车
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类型：2N沟道（双）非对称型
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功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：11.7A€14.2A
类型：2N沟道（双）非对称型
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漏源电压：30V
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
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类型：2N沟道（双）非对称型
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功率：1.1W
阈值电压：2.2V@330µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：18500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@330µA
栅极电荷：224.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18500pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：-55℃~150℃
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1153pF@15V
连续漏极电流：11.3A€18.1A
类型：2N沟道（双）非对称型
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