采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS6H800NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A160PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：15A€100A
类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS5A160PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：15A€100A
类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A160PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：15A€100A
类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A160PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：15A€100A
类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A160PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：15A€100A
类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A160PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：15A€100A
类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A140PLZT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：136nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@20V
连续漏极电流：20A€140A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
