品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:21nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:1460pF@15V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:21nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:1460pF@15V
功率:1.6W
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8601
输入电容:210pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@2.7A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
栅极电荷:5nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8886
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.5A€8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
输入电容:465pF@15V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5661N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8886
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.5A€8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
输入电容:465pF@15V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3512
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:634pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:3A
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:77mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":4925,"15+":120000}
规格型号(MPN):EFC4615R-TR
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.3V@1mA
漏源电压:24V
功率:1.6W
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:31mΩ@3A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8601
输入电容:210pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@2.7A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
栅极电荷:5nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":2238}
规格型号(MPN):FDC5661N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5661N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8601
输入电容:210pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@2.7A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
栅极电荷:5nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3512
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:634pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:3A
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:77mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5661N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8601
输入电容:210pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@2.7A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
栅极电荷:5nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5661N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFS6N548
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:700pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:1.6W
导通电阻:23mΩ@7A,10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5661N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637AN
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1125pF@10V
连续漏极电流:6.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6443-TL-W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@1mA
类型:N沟道
漏源电压:35V
栅极电荷:10nC@10V
导通电阻:37mΩ@3A,10V
功率:1.6W
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6443-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@3A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8601
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: