品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15ALZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:1.76nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:42mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5H663NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:63W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:67A
类型:MOSFET
导通电阻:7.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5D1N06HLTAG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:78A
类型:MOSFET
导通电阻:5.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15ALZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:1.76nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:42mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18.6nC@10V
输入电容:1.285nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15ALZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:1.76nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:42mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15ALZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:1.76nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:42mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD390N15ALZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
输入电容:1.76nF@75V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:42mΩ@26A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: