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    品牌: ON SEMI
    行业应用: 工业
    功率: 50W
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP103-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2430pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@28A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP203-TL-H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP203-TL-H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"01+":2856,"13+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP203-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2750pF@10V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@38A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD850N10L 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD850N10L 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD850N10L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1465pF@25V

    连续漏极电流:15.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP207-TL-H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP207-TL-H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"9999":2476}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP207-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2710pF@20V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@33A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD850N10L 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD850N10L 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD850N10L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1465pF@25V

    连续漏极电流:15.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD850N10L 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD850N10L 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD850N10L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1465pF@25V

    连续漏极电流:15.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD850N10L 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD850N10L 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD850N10L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1465pF@25V

    连续漏极电流:15.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6N25TM 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6N25TM 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":3945,"13+":144192,"22+":555}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6N25TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP103-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2430pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@28A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP113-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP113-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP113-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP113-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD850N10L 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD850N10L 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD850N10L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1465pF@25V

    连续漏极电流:15.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP103-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2430pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@28A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP103-TL-H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP103-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2430pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@28A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP207-TL-H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP207-TL-H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP207-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2710pF@20V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@33A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP203-TL-H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP203-TL-H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP203-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2750pF@10V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@38A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP203-TL-H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP203-TL-H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP203-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2750pF@10V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@38A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD850N10L 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD850N10L 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD850N10L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1465pF@25V

    连续漏极电流:15.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86381-F085 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86381-F085 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86381-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:866pF@40V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP113-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP207-TL-H 起订697个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP207-TL-H 起订697个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"9999":2476}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP207-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2710pF@20V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@33A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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