品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":3945,"13+":144192,"22+":555}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N25TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":3945,"13+":144192,"22+":555}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N25TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N25TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":3945,"13+":144192,"22+":555}
规格型号(MPN):FDD6N25TM
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:50W
漏源电压:250V
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
连续漏极电流:4.4A
输入电容:250pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N25TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9P25YDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:620mΩ@3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9P25YDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:620mΩ@3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9P25YDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:620mΩ@3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: