采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86381-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1329}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240LET40
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：24A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1329}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240LET40
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：24A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240LET40
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：24A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86381-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86381-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1329}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240LET40
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
输入电容：4230pF@20V
类型：2N沟道（双）
功率：50W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：24A
ECCN：EAR99
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15.7A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：50W
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：75mΩ@12A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：1465pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15.7A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：50W
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：75mΩ@12A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：1465pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8782
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD850N10L
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1465pF@25V
连续漏极电流：15.7A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8782
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8782
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
