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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H419NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：NTMFS5H630NLT1G
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阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@30V
连续漏极电流：22A€120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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ECCN：EAR99
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输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
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ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
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输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.1W€89W
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连续漏极电流：29A€155A
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类型：N沟道
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连续漏极电流：22A€120A
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
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