采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N60CTM-WS
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJB5742T4G
集射极击穿电压(Vceo)：400V
集电极电流(Ic)：8A
功率：100W
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@400mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@4A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJB5742T4G
集射极击穿电压(Vceo)：400V
集电极电流(Ic)：8A
功率：100W
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@400mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@4A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：900，"12+"：4200，"13+"：9224，"9999"：1476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414AN-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060L
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，24A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414AN-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414AN-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414AN-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060L
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，24A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJB5742T4G
集射极击穿电压(Vceo)：400V
集电极电流(Ic)：8A
功率：100W
工作温度：65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@400mA，8A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@4A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：469}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060L
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，24A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
