采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：176，"22+"：45572，"23+"：968，"MI+"：3004}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9401-F085
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：429W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：296 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900 pF @ 25 V
连续漏极电流：300A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.65 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8441
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000 pF @ 25 V
连续漏极电流：28A（Ta），120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.5 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9401-F085
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：429W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：296 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900 pF @ 25 V
连续漏极电流：300A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.65 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8441
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000 pF @ 25 V
连续漏极电流：28A（Ta），120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.5 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8441
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000 pF @ 25 V
连续漏极电流：28A（Ta），120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.5 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8441
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000 pF @ 25 V
连续漏极电流：28A（Ta），120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.5 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：176，"22+"：45572，"23+"：968，"MI+"：3004}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9401-F085
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：429W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：296 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900 pF @ 25 V
连续漏极电流：300A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.65 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
漏源电压：40V
类型：N 通道
栅极电荷：59 nC @ 10 V
连续漏极电流：70A（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
漏源电压：40V
类型：N 通道
栅极电荷：59 nC @ 10 V
连续漏极电流：70A（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9401-F085
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：429W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：296 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900 pF @ 25 V
连续漏极电流：300A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.65 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9401-F085
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：429W（Tj）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：296 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15900 pF @ 25 V
连续漏极电流：300A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.65 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.5W（Ta），44.1W（Tc）
阈值电压：2.4V @ 255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058 pF @ 20 V
连续漏极电流：9.4A（Ta），34.6A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050 pF @ 25 V
连续漏极电流：70A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.7 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLWFT1G
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3W（Ta），40W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 30µA
栅极电荷：7nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF @ 25V
连续漏极电流：14A（Ta），52A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：7.4 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLWFT1G
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3W（Ta），40W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 30µA
栅极电荷：7nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF @ 25V
连续漏极电流：14A（Ta），52A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：7.4 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
