采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1600，"18+"：1900}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1857pF@25V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@58A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1600，"18+"：1900}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1857pF@25V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@58A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1600，"18+"：1900}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1857pF@25V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@58A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1857pF@25V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@58A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1857pF@25V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@58A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1857pF@25V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@58A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
类型：N沟道
栅极电荷：42nC@10V
连续漏极电流：29.6A€116A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
输入电容：2856pF@50V
功率：7.9W€122W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
类型：N沟道
栅极电荷：42nC@10V
连续漏极电流：29.6A€116A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
输入电容：2856pF@50V
功率：7.9W€122W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1857pF@25V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@58A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1857pF@25V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@58A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1857pF@25V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@58A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1857pF@25V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@58A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1857pF@25V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@58A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1857pF@25V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@58A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
