采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G-UIL3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6410ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G-UIL3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：97，"19+"：68，"21+"：5，"22+"：32，"9999"：84}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6410ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G-UIL3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6410ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
