品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€19W
阈值电压:2.2V@13µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:7.5A€26A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€50W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:17.6A€70A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C680NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€19W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:7.5A€26A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W
阈值电压:2.2V@90µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3170pF@25V
连续漏极电流:25A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.65mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€45W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@25V
连续漏极电流:12A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H840NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@96µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2002pF@40V
连续漏极电流:14A€74A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H840NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@96µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2002pF@40V
连续漏极电流:14A€74A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3890
工作温度:-55℃~175℃
功率:900mW
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
连续漏极电流:4.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:44mΩ@4.7A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€45W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@25V
连续漏极电流:12A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C672NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€45W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@25V
连续漏极电流:12A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H840NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@96µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2002pF@40V
连续漏极电流:14A€74A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€19W
阈值电压:2.2V@13µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:7.5A€26A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C672NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€45W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@25V
连续漏极电流:12A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:24A€127A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.9mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5875NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:33mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3890
工作温度:-55℃~175℃
功率:900mW
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
连续漏极电流:4.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:44mΩ@4.7A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€28W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:11.7A€36A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€38W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:14A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€38W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:14A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H840NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@96µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2002pF@40V
连续漏极电流:14A€74A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":79500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C668NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€57.5W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@25V
连续漏极电流:15.5A€68A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD6H840NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@96µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2002pF@40V
连续漏极电流:14A€74A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: