采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8796
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBV5605T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@8.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBV5605T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：18.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@8.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8796
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
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规格型号(MPN)：FDD8796
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功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD8796
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：2610pF@13V
漏源电压：25V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
功率：88W
连续漏极电流：35A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD8796
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8796
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{}
规格型号(MPN)：FDD8796
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：2610pF@13V
漏源电压：25V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
功率：88W
连续漏极电流：35A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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