品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@10A,10V
功率:30W
连续漏极电流:41A
输入电容:660pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@20µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@10A,10V
功率:30W
连续漏极电流:41A
输入电容:660pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@20µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@10A,10V
功率:30W
连续漏极电流:41A
ECCN:EAR99
输入电容:660pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":400}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: