采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D0N12C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€106W
阈值电压：4V@370A
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6460pF@60V
连续漏极电流：18.5A€114A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@67A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C302NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5780pF@15V
连续漏极电流：41A€230A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：689}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP104N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4165pF@380V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@18.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：689}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP104N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4165pF@380V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@18.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C302NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5780pF@15V
连续漏极电流：41A€230A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C302NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5780pF@15V
连续漏极电流：41A€230A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C302NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5780pF@15V
连续漏极电流：41A€230A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D0N12C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€106W
阈值电压：4V@370A
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6460pF@60V
连续漏极电流：18.5A€114A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@67A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5306，"23+"：27000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D0N12C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€106W
阈值电压：4V@370A
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6460pF@60V
连续漏极电流：18.5A€114A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@67A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3，"22+"：54420，"MI+"：6400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5306，"23+"：27000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D0N12C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€106W
阈值电压：4V@370A
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6460pF@60V
连续漏极电流：18.5A€114A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@67A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA59N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：392W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@29.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA59N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：392W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@29.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D0N12C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€106W
阈值电压：4V@370A
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6460pF@60V
连续漏极电流：18.5A€114A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@67A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4165pF@380V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@18.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D0N12C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€106W
阈值电压：4V@370A
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6460pF@60V
连续漏极电流：18.5A€114A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@67A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT064N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：260W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3745pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF190N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@25V
连续漏极电流：20.6A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D0N12C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€106W
阈值电压：4V@370A
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6460pF@60V
连续漏极电流：18.5A€114A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@67A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D0N12C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€106W
阈值电压：4V@370A
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6460pF@60V
连续漏极电流：18.5A€114A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@67A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
