品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50FTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6834,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50TM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":53700,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50FTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50FTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":960,"21+":18000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":6800,"23+":7500,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50FTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6834,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50TM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":53700,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6834,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50TM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6834,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N50TM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":53700,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":6800,"23+":7500,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":6800,"23+":7500,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: