品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N50T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.86nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:265mΩ@10V,9A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD5N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:54W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:950mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60FTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:95pF@25V
导通电阻:150mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:2.135nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD5N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:54W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:950mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
输入电容:8.66nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@10V,26A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:5.14nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:155mΩ@10V,14A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
输入电容:8.66nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@10V,26A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":3945,"13+":144192,"22+":555}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N25TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF15N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:3.095nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:440mΩ@10V,7.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.95nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:104mΩ@10V,18.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD3P50TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: