品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF15N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:3.095nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:440mΩ@10V,7.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
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连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF15N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250μA
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导通电阻:440mΩ@10V,7.5A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF15N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250μA
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导通电阻:440mΩ@10V,7.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF15N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:3.095nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:440mΩ@10V,7.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
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连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1837}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
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导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1837}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
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连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF15N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
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连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:440mΩ@10V,7.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:13A€55A
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:2.37nF@20V
栅极电荷:63nC@10V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存: