品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:107mΩ@8A,5V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:11A
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
输入电容:350pF@25V
栅极电荷:11.3nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
生产批次:{"14+":0}
规格型号(MPN):FDB035AN06A0
导通电阻:3.2mΩ
连续漏极电流:80A
包装方式:Reel
阈值电压:2V
漏源电压:60V
栅极电荷:124nC
功率:310W
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
输入电容:1.35nF@25V
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
功率:90W
栅极电荷:62nC@10V
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:47mΩ@16A,5V
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS021N06CLTWG
导通电阻:21mΩ@10A,10V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:410pF@25V
功率:28W€3.8W
栅极电荷:5nC@10V
连续漏极电流:9.8A€27A
漏源电压:60V
阈值电压:2V@16μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
输入电容:1.35nF@25V
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
功率:90W
栅极电荷:62nC@10V
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:47mΩ@16A,5V
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
栅极电荷:6.9nC@10V
漏源电压:60V
输入电容:489pF@30V
功率:36W
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:107mΩ@8A,5V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:11A
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
ECCN:EAR99
输入电容:350pF@25V
栅极电荷:11.3nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB035AN06A0
导通电阻:3.2mΩ
连续漏极电流:80A
包装方式:Reel
阈值电压:2V
漏源电压:60V
栅极电荷:124nC
功率:310W
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C645NT1G
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:4.5mΩ
功率:3.7W€80W
栅极电荷:20.4nC@10V
连续漏极电流:20A€94A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:1.51nF@25V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
功率:49W
栅极电荷:15nC@10V
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:485pF@25V
导通电阻:63mΩ@10V,18A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):NTMYS014N06CLTWG
包装方式:Reel
导通电阻:15mΩ
功率:37W
阈值电压:2V
漏源电压:60V
连续漏极电流:36A
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:9.7nC
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):NTMYS014N06CLTWG
包装方式:Reel
导通电阻:15mΩ
功率:37W
阈值电压:2V
漏源电压:60V
连续漏极电流:36A
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:9.7nC
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
输入电容:1.35nF@25V
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
功率:90W
栅极电荷:62nC@10V
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:47mΩ@16A,5V
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:18A€80A
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
输入电容:3.9nF@25V
导通电阻:5mΩ@10V,80A
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:107mΩ@8A,5V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:11A
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
输入电容:350pF@25V
栅极电荷:11.3nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G
连续漏极电流:13A€48A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@40μA
栅极电荷:13.7nC@10V
导通电阻:10mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.6W€52W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB035AN06A0
导通电阻:3.2mΩ
连续漏极电流:80A
包装方式:Reel
阈值电压:2V
漏源电压:60V
栅极电荷:124nC
功率:310W
工作温度:-55℃~+175℃
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP050AN06A0
栅极电荷:80nC@10V
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:18A€80A
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
输入电容:3.9nF@25V
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:5mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G
连续漏极电流:13A€48A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@40μA
栅极电荷:13.7nC@10V
导通电阻:10mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.6W€52W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.6W€52W
阈值电压:2V@40μA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
连续漏极电流:13A€48A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP038AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.4nF@25V
连续漏极电流:17A€80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:367pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP020N06B-F102
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:268nC@10V
包装方式:管件
输入电容:20.93nF@30V
连续漏极电流:313A
类型:1个N沟道
反向传输电容:127pF@30V
导通电阻:1.65mΩ@10V,100A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: