品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":1235}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":1235}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":1235}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":1235}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":1235}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
类型:沟槽型场截止
ECCN:EAR99
反向恢复时间:76ns
关断延迟时间:86ns
集电极脉冲电流(Icm):225A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
关断损耗:750µJ
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
包装方式:管件
开启延迟时间:28ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:750µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":621,"MI+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH75T65SHDT-F155
集电极电流(Ic):2.1V@15V,75A
类型:沟槽型场截止
ECCN:EAR99
反向恢复时间:76ns
关断延迟时间:86ns
集电极脉冲电流(Icm):225A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
关断损耗:750µJ
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
包装方式:管件
开启延迟时间:28ns
包装清单:商品主体 * 1
库存: