采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：9000}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：9000}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：9000}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：343}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：9000}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：9000}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：9000}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
生产批次：{"21+"：343}
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
开启延迟时间：44ns
导通损耗：307µJ
栅极电荷：128nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
关断延迟时间：276ns
类型：沟槽型场截止
ECCN：EAR99
反向恢复时间：76ns
工作温度：-55℃ ~ 175℃
集电极截止电流(Ices)：650V
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断损耗：266µJ
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：343}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGH75T65SQDTL4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：276ns
反向恢复时间：76ns
关断损耗：266µJ
开启延迟时间：44ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，75A
导通损耗：307µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
