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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：46，"19+"：345，"22+"：590}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HGTG10N120BND
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：165ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：800µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，10A
导通损耗：850µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：46，"19+"：345，"22+"：590}
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规格型号(MPN)：HGTG10N120BND
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：165ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：800µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，10A
导通损耗：850µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
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ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：165ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：800µJ
开启延迟时间：23ns
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栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，10A
导通损耗：850µJ
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栅极电荷：100nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，10A
导通损耗：850µJ
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类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，10A
导通损耗：850µJ
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