品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@20V
连续漏极电流:31A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C453NLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€68W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:23A€107A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C604NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:287A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":2917}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP75N03R
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€74.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@30V
连续漏极电流:35A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€245W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16013pF@20V
连续漏极电流:78.9A€554.5A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":44600,"07+":75,"08+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD70N03R
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:10A€32A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G-UIL3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:40A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":19425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N02R-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.25W€58W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1330pF@20V
连续漏极电流:8.5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€245W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16013pF@20V
连续漏极电流:78.9A€554.5A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MTP3055VL
工作温度:-65℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@5V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB65N02RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@20V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@20V
连续漏极电流:31A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H615NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4860pF@30V
连续漏极电流:28A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@49A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@20V
连续漏极电流:313A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C460NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:21A€78A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1460pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:16A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":181,"17+":42211,"22+":3000,"23+":145031}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H400NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7700pF@20V
连续漏极电流:46A€330A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":1875}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD95N02R-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€86W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@20V
连续漏极电流:12A€32A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":3855,"05+":168260,"06+":527497,"08+":7445,"09+":75000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD70N03RT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:10A€32A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":20,"06+":2175,"9999":140,"MI+":2206}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD70N03R-001
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:10A€32A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":576,"21+":4097,"22+":5247}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5810-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:7.4A€37A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":155633,"08+":86900,"10+":3600,"MI+":172}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD85N02R-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€78.1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.7nC@5V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@20V
连续漏极电流:12A€85A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存: