品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.9W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.9W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.9W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8030
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:10mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8030
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:10mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.9W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.9W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.9W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.9W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.9W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.9W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:10.42W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.9W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD1600N10ALZ
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:225pF@50V
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
栅极电荷:3.61nC@10V
功率:14.9W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD1600N10ALZ
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:225pF@50V
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
栅极电荷:3.61nC@10V
功率:14.9W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:225pF@50V
类型:N沟道
功率:10.42W
栅极电荷:3.77nC@10V
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
连续漏极电流:5.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8030
导通电阻:10mΩ@12A,10V
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:12A
输入电容:1975pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD1600N10ALZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.9W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: