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    onsemi Mosfet场效应管 FCPF400N80ZL1-F154 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF400N80ZL1-F154 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF400N80ZL1-F154

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35.7W

    阈值电压:4.5V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2417R-TL-H 起订2466个装
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2417R-TL-H 起订2466个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":122492,"17+":1290}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EMH2417R-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:10mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1-1G 起订309个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1-1G 起订309个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":34500,"17+":3150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD60N360U1-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF11N60F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF11N60F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF11N60F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4119NT3G 起订605个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4119NT3G 起订605个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":60000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4119NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4800pF@24V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@29A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675 起订156个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675 起订156个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":464}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订204个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订204个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU13N06LTU 起订370个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU13N06LTU 起订370个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":0,"22+":0}

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU13N06LTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N06LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8695R-TL-W 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8695R-TL-W 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8695R-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:9.1mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N06LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6576

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.044nF@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@4.5V,11A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8695R-TL-W 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8695R-TL-W 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8695R-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:9.1mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1345-H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1345-H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":21337,"17+":1500}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1345-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1020pF@20V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:275mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6576 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6576

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.044nF@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@4.5V,11A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU13N06LTU 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU13N06LTU 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":0,"22+":0}

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU13N06LTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1T4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1T4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2626,"17+":35000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7630 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7630 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA7630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1360pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4672A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4672A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4766pF@20V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1345-H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1345-H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":21337,"17+":1500}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1345-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1020pF@20V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:275mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BFL4037-1E 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 BFL4037-1E 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BFL4037-1E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8280 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8280 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":6621}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8280

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@40V

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.2mΩ@11A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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