采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：241}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76629D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQAF16N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@5.65A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76629D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76629D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76629D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：620，"21+"：186，"22+"：4476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUFA76429D3ST-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：620，"21+"：186，"22+"：4476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUFA76429D3ST-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76629D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76629D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76629D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76629D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRL640A
功率：110W
导通电阻：180mΩ@5V，9A
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
输入电容：1.705nF@25V
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：56nC@5V
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB150N10
阈值电压：4.5V@250µA
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：57A
输入电容：4760pF@25V
栅极电荷：69nC@10V
ECCN：EAR99
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76629D3ST
连续漏极电流：20A
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@25V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：52mΩ@20A，10V
栅极电荷：46nC@10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
