采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10.9A€62A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
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类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
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规格型号(MPN)：FDD13AN06A0-F085
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输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：9.9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
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功率：115W
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导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
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规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
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规格型号(MPN)：FDD13AN06A0-F085
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类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
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功率：115W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
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输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10.9A€62A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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功率：115W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：10.9A€62A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD13AN06A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：9.9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
输入电容：1350pF@25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：115W
连续漏极电流：10.9A€62A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0-F085
输入电容：1350pF@25V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.9A€50A
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：115W
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：13.5mΩ@50A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：9.9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10.9A€62A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：9.9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：115W
阈值电压：4V@140μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.47nF@40V
连续漏极电流：103A
类型：1个N沟道
反向传输电容：11pF@40V
导通电阻：3.7mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：9.9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
