品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"12+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):NGB8207BNT4G
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.6V@4V,20A
集电极截止电流(Ices):365V
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":219}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T65SQD
ECCN:EAR99
集电极脉冲电流(Icm):80A
集电极截止电流(Ices):650V
类型:IGBT管
集电极电流(Ic):1.6V
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"12+":522,"14+":2500,"15+":5000}
包装规格(MPQ):376psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGD8205ANT4G
ECCN:EAR99
包装方式:散装
栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@4.5V,20A
关断延迟时间:5μs
集电极截止电流(Ices):390V
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"12+":522,"14+":2500,"15+":5000}
包装规格(MPQ):376psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGD8205ANT4G
ECCN:EAR99
包装方式:散装
栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@4.5V,20A
关断延迟时间:5μs
集电极截止电流(Ices):390V
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.6W€52W
阈值电压:2V@40μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
连续漏极电流:13A€48A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5744}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D3N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:3.5V@180μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.855nF@25V
连续漏极电流:252A€43A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.15mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.6W€52W
阈值电压:2V@40μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
连续漏极电流:13A€48A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS027N10MCLTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:46W€3.1W
阈值电压:3V@38μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:7.4A€28A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D3N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:3.5V@180μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.855nF@25V
连续漏极电流:252A€43A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.15mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD
ECCN:EAR99
栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A
关断延迟时间:208ns
反向恢复时间:195ns
关断损耗:1.2mJ
开启延迟时间:48ns
集电极截止电流(Ices):1.2kV
栅极电荷:395nC
类型:FS(场截止)
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: