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    集电极截止电流(Ices)
    品牌: ON SEMI
    ECCN: EAR99
    工作温度: -55℃~+175℃
    当前匹配商品:400+
    商品信息
    参数
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    onsemi IGBT NGB8207BNT4G 起订535个装
    onsemi IGBT NGB8207BNT4G 起订535个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"12+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGB8207BNT4G

    ECCN:EAR99

    栅极阈值电压(Vge(th)):2.6V@4V,20A

    集电极截止电流(Ices):365V

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT AFGHL40T65SQD 起订106个装
    onsemi IGBT AFGHL40T65SQD 起订106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":219}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AFGHL40T65SQD

    ECCN:EAR99

    集电极脉冲电流(Icm):80A

    集电极截止电流(Ices):650V

    类型:IGBT管

    集电极电流(Ic):1.6V

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT NGD8205ANT4G 起订1000个装
    onsemi IGBT NGD8205ANT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"12+":522,"14+":2500,"15+":5000}

    包装规格(MPQ):376psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGD8205ANT4G

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@4.5V,20A

    关断延迟时间:5μs

    集电极截止电流(Ices):390V

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT NGD8205ANT4G 起订452个装
    onsemi IGBT NGD8205ANT4G 起订452个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"12+":522,"14+":2500,"15+":5000}

    包装规格(MPQ):376psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGD8205ANT4G

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@4.5V,20A

    关断延迟时间:5μs

    集电极截止电流(Ices):390V

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.6W€52W

    阈值电压:2V@40μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@30V

    连续漏极电流:13A€48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD016N06CT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD016N06CT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@25μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:489pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:5.7pF@30V

    导通电阻:13.6mΩ@10V,5A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD016N06CT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD016N06CT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5744}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@25μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:489pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:5.7pF@30V

    导通电阻:13.6mΩ@10V,5A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D3N04CTWG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D3N04CTWG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS1D3N04CTWG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.9W€134W

    阈值电压:3.5V@180μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.855nF@25V

    连续漏极电流:252A€43A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.6W€52W

    阈值电压:2V@40μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@30V

    连续漏极电流:13A€48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS027N10MCLTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS027N10MCLTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS027N10MCLTAG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:46W€3.1W

    阈值电压:3V@38μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@50V

    连续漏极电流:7.4A€28A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:26mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD016N06CT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD016N06CT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@25μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:489pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:5.7pF@30V

    导通电阻:13.6mΩ@10V,5A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8896 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8896

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.525nF@15V

    连续漏极电流:17A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D3N04CTWG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D3N04CTWG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS1D3N04CTWG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.9W€134W

    阈值电压:3.5V@180μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.855nF@25V

    连续漏极电流:252A€43A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT AFGHL40T120RLD 起订25个装
    onsemi IGBT AFGHL40T120RLD 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD

    ECCN:EAR99

    栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A

    关断延迟时间:208ns

    反向恢复时间:195ns

    关断损耗:1.2mJ

    开启延迟时间:48ns

    集电极截止电流(Ices):1.2kV

    栅极电荷:395nC

    类型:FS(场截止)

    导通损耗:3.4mJ

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT AFGHL40T120RLD 起订300个装
    onsemi IGBT AFGHL40T120RLD 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"22+":33669,"23+":62550,"MI+":4050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AFGHL40T120RLD

    ECCN:EAR99

    栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,40A

    关断延迟时间:208ns

    反向恢复时间:195ns

    关断损耗:1.2mJ

    开启延迟时间:48ns

    集电极截止电流(Ices):1.2kV

    栅极电荷:395nC

    类型:FS(场截止)

    导通损耗:3.4mJ

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订21000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订21000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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