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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：339mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"03+"：7960，"05+"：4000，"06+"：12000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"04+"：79831，"05+"：104000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"06+"：39761}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
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集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：339mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
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集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：100千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：100千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：339mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"06+"：540000，"07+"：27000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"03+"：91950}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"04+"：592000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：187mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
电阻比：47千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
输入电阻：4.7千欧
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
