销售单位：个

包装规格(MPQ)：75psc

规格型号(MPN)：MJD127G

工作温度：65℃~150℃

包装方式：管件

集电集截止电流(Icbo)：10µA

晶体管类型：PNP

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

功率：1.75W

集电极电流(Ic)：8A

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

集射极击穿电压(Vceo)：100V

ECCN：EAR99

特征频率：4MHz

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH6287G

工作温度：65℃~150℃

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V

功率：160W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

集电极电流(Ic)：20A

集射极击穿电压(Vceo)：100V

特征频率：4MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11021G

工作温度：65℃~150℃

包装方式：管件

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

晶体管类型：PNP

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

特征频率：3MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：TIP115G

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

工作温度：65℃~150℃

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

集射极击穿电压(Vceo)：60V

功率：2W

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

集电集截止电流(Icbo)：2mA

集电极电流(Ic)：2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：TIP117G

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

工作温度：65℃~150℃

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

功率：2W

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电集截止电流(Icbo)：2mA

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：TIP107G

集电集截止电流(Icbo)：50µA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

工作温度：65℃~150℃

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

集射极击穿电压(Vceo)：100V

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147G

工作温度：65℃~150℃

包装方式：管件

功率：125W

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

晶体管类型：PNP

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电集截止电流(Icbo)：2mA

集电极电流(Ic)：10A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：TIP127G

集电极电流(Ic)：5A

工作温度：65℃~150℃

包装方式：管件

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V

晶体管类型：PNP

集电集截止电流(Icbo)：500µA

功率：2W

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A

集射极击穿电压(Vceo)：100V

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：MJF127G

集电极电流(Ic)：5A

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3.5V@20mA，5A

工作温度：65℃~150℃

包装方式：管件

集电集截止电流(Icbo)：10µA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@3A，3V

功率：2W

集射极击穿电压(Vceo)：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP127G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：5A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP107G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：40，"07+"：114，"08+"：582，"10+"：350，"11+"：258，"12+"：224，"16+"：369，"22+"：39，"MI+"：250}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP126G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：5A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP117G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11019G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDW94CFTU

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD117G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP147TU

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP117G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD117-1G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD117G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11021G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP115G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP117G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"MI+"：2803}

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11021G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP127G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：5A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11017G

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDW94CFTU

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11021G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1