包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11019G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDW94CFTU

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11021G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：0，"MI+"：3253}

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11021G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJ11015G

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：30A

功率：200W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：4MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@300mA，30A

包装方式：托盘

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@20A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11017G

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDW94CFTU

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDW94CFTU

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11021G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：0，"MI+"：3253}

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11021G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH6287G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：20A

功率：160W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJ11015G

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：30A

功率：200W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：4MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@300mA，30A

ECCN：EAR99

包装方式：托盘

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@20A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDW94CFTU

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11019G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH6287G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：20A

功率：160W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJ11015G

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：30A

功率：200W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：4MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@300mA，30A

包装方式：托盘

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@20A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11019G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDV64BG

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，5A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH6287G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：20A

功率：160W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDV64BG

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJ11015G

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：30A

功率：200W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：4MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@300mA，30A

包装方式：托盘

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@20A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH6287G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：20A

功率：160W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@200mA，20A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@10A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDV64BG

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，5A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJ11015G

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：30A

功率：200W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：4MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@300mA，30A

包装方式：托盘

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@20A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJ11015G

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：30A

功率：200W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：4MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@300mA，30A

包装方式：托盘

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@20A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJ11015G

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：30A

功率：200W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：4MHz

工作温度：55℃~200℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@300mA，30A

包装方式：托盘

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@20A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BDV64BG

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，5A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11021G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：0，"MI+"：3253}

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11021G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11021G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1