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销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV26
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
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晶体管类型：PNP
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规格型号(MPN)：BCV26
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晶体管类型：PNP
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包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：BCV26
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
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集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
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晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
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晶体管类型：PNP
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
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品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
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规格型号(MPN)：BCV26
集电极电流(Ic)：1.2A
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
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晶体管类型：PNP
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
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