销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100mA，100μA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100μA

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@2A，40mA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500μA

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：350mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100mA，100μA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：350mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100mA，100μA

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1