采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：200MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PZTA64
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"08+"：872，"09+"：1001，"11+"：2373，"12+"：500，"14+"：2492，"18+"：200}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJE703G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@40mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PZTA64
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：1W
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV26
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD682G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"08+"：872，"09+"：1001，"11+"：2373，"12+"：500，"14+"：2492，"18+"：200}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MJE703G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@40mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV26
集射极击穿电压(Vceo)：30V
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BC516-D27Z
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1A
功率：625mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
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工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
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晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV26
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
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销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
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晶体管类型：PNP
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMMBTA64LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
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包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
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销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV26
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：BD680G
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：55℃~150℃
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晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA63LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD682G
集射极击穿电压(Vceo)：100V
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晶体管类型：PNP
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PZTA64
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
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晶体管类型：PNP
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMMBTA64LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
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特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
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包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV26
集射极击穿电压(Vceo)：30V
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晶体管类型：PNP
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销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV26
集射极击穿电压(Vceo)：30V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
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集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA63LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
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工作温度：55℃~150℃
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV26
集射极击穿电压(Vceo)：30V
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集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：55℃~150℃
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晶体管类型：PNP
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA63LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA63LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV26
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.2A
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
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