销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP122G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：5A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPSA29

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6387G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：10A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：2MHz

工作温度：65℃~175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA28

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：350mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA28

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：350mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC517-D74Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD681G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT605

集射极击穿电压(Vceo)：110V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10nA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPSA29

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA14LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJF6388G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：350mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6387G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112-1G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP102G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP121TU

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：5A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T1G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP142G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：125W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1